一、概述

      在半導(dǎo)體器件（如MOSFET、JFET等）中，漏源（DS） 和 柵源（GS） 是描述器件電極間電壓和電流關(guān)系的兩個(gè)重要概念，通常用  Vds 表示漏源電壓，用Vgs表示柵源電壓。

二、測(cè)試難點(diǎn)

1、MOS管在開關(guān)過(guò)程中，尤其是半橋電路中，上管電壓會(huì)隨下管開關(guān)動(dòng)作快速跳變，產(chǎn)生高幅值、高頻率的共模電壓。

2、MOS管開關(guān)時(shí)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁干擾（EMI），普通探頭的測(cè)量線較長(zhǎng)，易成為天線接收干擾信號(hào)，導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果出現(xiàn)震蕩或噪聲。

三、電壓探頭選擇

1、光隔離探頭OPLX6000系列

（1）光隔離探頭通過(guò)光纖傳輸信號(hào)，實(shí)現(xiàn)電氣隔離，能在全帶寬內(nèi)提供高共模抑制比（通常可達(dá)120dB以上），有效抑制共模干擾，準(zhǔn)確捕捉柵極電壓（Vgs）等差模信號(hào)，避免因共模干擾導(dǎo)致的波形畸變或誤判。

（2）光隔離探頭的寄生電容極小（通常在1pF以內(nèi)），寄生電感也極低，不會(huì)引入額外的位移電流或電壓振蕩，能更真實(shí)地反映MOS管開關(guān)過(guò)程中的電壓波形，尤其對(duì)于納秒級(jí)開關(guān)速度的SiC、GaN MOS管，可避免因探頭寄生參數(shù)導(dǎo)致的波形失真或過(guò)沖。

（3）光隔離探頭通過(guò)光纖傳輸信號(hào)，不受電磁干擾影響，能在高干擾環(huán)境下保持測(cè)量精度。

（4）在高壓、高功率的MOS管測(cè)試場(chǎng)景中，光隔離探頭實(shí)現(xiàn)測(cè)量端與示波器之間的電氣隔離，避免因接地回路問題或高壓泄漏導(dǎo)致的設(shè)備損壞或人員安全風(fēng)險(xiǎn)。

2、高壓差分探頭HVP6000系列

（1）HVP6000H 系列高壓差分探頭是具有浮地測(cè)量功能的高壓高頻差分探頭，可測(cè)量差分電壓7000Vpk，帶寬 500MHz。

（2）在線調(diào)零技術(shù)，調(diào)零無(wú)需斷開被測(cè)電路。

（3）全量程偏置電壓消除技術(shù)，可精準(zhǔn)測(cè)量紋波電壓。

（4）波形低失真測(cè)量技術(shù)。